Nëse vendndodhja juaj nuk është e shënuar, ju lutemi zgjidhni një nga sa vijon:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Nëse vendndodhja juaj nuk është e shënuar, ju lutemi zgjidhni një nga sa vijon:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. shtëpi
  2. Produkte
  3. Produkte diskrete gjysmëpërçuese
  4. Diodat - Rregullatorët - Beqare

Diodat - Rregullatorët - Beqare


imazh Pjesa kryesore # / Prodhuesi Përshkrimi / PDF Sasia / RFQ

JAN1N6677UR-1

Microsemi Corporation

DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO213AA.

3104copë aksionesh
RFUH20TB4S

RFUH20TB4S

Rohm Semiconductor

DIODE GEN PURP 430V 20A TO220FN. Diodes - General Purpose, Power, Switching 430V Vrm 20A Io Recovery Diode

59949copë aksionesh
JANS1N6662US

JANS1N6662US

Microsemi Corporation

DIODE GEN PURP 400V 500MA D5A.

7409copë aksionesh
STTH3006W

STTH3006W

STMicroelectronics

DIODE GEN PURP 600V 30A DO247. Rectifiers high volt rectifier

27424copë aksionesh
JANTXV1N6662US

JANTXV1N6662US

Microsemi Corporation

DIODE GEN PURP 400V 500MA D5A.

3102copë aksionesh

JANTX1N6662

Microsemi Corporation

DIODE GEN PURP 400V 500MA DO35.

3102copë aksionesh
JANTXV1N6661US

JANTXV1N6661US

Microsemi Corporation

DIODE GEN PURP 225V 500MA D5A.

3102copë aksionesh
JANTX1N6661US

JANTX1N6661US

Microsemi Corporation

DIODE GEN PURP 225V 500MA D5A.

3102copë aksionesh

JANS1N6661US

Microsemi Corporation

DIODE GEN PURP 225V 500MA D5D.

3101copë aksionesh
JAN1N6661US

JAN1N6661US

Microsemi Corporation

DIODE GEN PURP 225V 500MA D5A.

3101copë aksionesh

JANS1N6661

Microsemi Corporation

DIODE GEN PURP 225V 500MA AXIAL.

3101copë aksionesh

JANTX1N6661

Microsemi Corporation

DIODE GEN PURP 225V 500MA DO35.

3101copë aksionesh

JANTX1N6510

Microsemi Corporation

DIODE GEN PURP 75V 300MA DO213.

3099copë aksionesh

JANTX1N649UR-1

Microsemi Corporation

DIODE GEN PURP 600V 400MA DO213.

3099copë aksionesh

JANTXV1N649-1

Microsemi Corporation

DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35.

3099copë aksionesh

JAN1N649-1

Microsemi Corporation

DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35.

3099copë aksionesh

JANTXV1N647-1

Microsemi Corporation

DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35.

3098copë aksionesh

RHRP30120-F102

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220-2. Rectifiers 1200V, 30A HYPERFAST DIODE

35289copë aksionesh

JANTX1N647-1

Microsemi Corporation

DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35.

3098copë aksionesh

JANTX1N645-1

Microsemi Corporation

DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35.

3098copë aksionesh

Faqet e klasifikimit