1N4150W-HE3-18 Prmimi (USD) [2750629copë aksionesh]
- 1 pcs$0.01419
- 10,000 pcs$0.01412
- Numri i pjesës:
- 1N4150W-HE3-18
- prodhues:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Pershkrim i detajuar:
- DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
- Koha standarde e plumbit të prodhuesit:
- Në magazinë
- Jetëgjatësia:
- Nje vit
- Ipipi Nga:
- Hong Kong
- RoHS:
- Metoda e pagesës:
-
- Mënyra e dërgesës:
- Kategoritë familjare:
- Komponentët kyç Co, LTD është një distributori i Komponentëve Elektronikë i cili ofron kategori të produkteve duke përfshirë: Diodat - Kapaciteti i Ndryshueshëm (Varicaps, Vara, Diodat - Zener - Vargje, Tyristorët - DIAC, SIDAC, Diodat - Zener - Beqare, Transistorët - FET, MOSFET - Të vetme, Tranzistorët - bipolar (BJT) - vargje, të paragjyk, Transistorët - Bipolarë (BJT) - RF and Tyristorët - SHKR - Modulet ...
- Avantazhi Konkurrues:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4150W-HE3-18 electronic components. 1N4150W-HE3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4150W-HE3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4150W-HE3-18 Atributet e produkteve
Numri i pjesës :
1N4150W-HE3-18
prodhues :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Përshkrim :
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
seri :
-
Statusi i pjesës :
Active
Lloji i diodës :
Standard
Tensioni - Reverse DC (Vr) (Max) :
50V
Aktual - Rregulluar Mesatar (Io) :
200mA
Tensioni - përpara (Vf) (Maksimum) @ Nëse :
1V @ 200mA
shpejtësi :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Koha e rikuperimit të kundërt (trr) :
4ns
Rrjedhje e kundërt - Vr :
100nA @ 50V
Kapaciteti @ Vr, F :
2.5pF @ 0V, 1MHz
Lloji i montimit :
Surface Mount
Paketa / Rasti :
SOD-123
Paketa e pajisjes së furnizuesit :
SOD-123
Temperatura e funksionimit - kryqëzim :
-55°C ~ 150°C
Lajmet e fundit
Ju gjithashtu mund të jeni të interesuar në
-
BAS19
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
MMBD4448
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
-
MMBD1501A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
-
BAS29
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
BAV20W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM
-
1N4148W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
Pjesë të nxehta
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G
选择你的位置