Infineon Technologies - IPB16CN10N G

KEY Part #: K6407280

[1028copë aksionesh]


    Numri i pjesës:
    IPB16CN10N G
    prodhues:
    Infineon Technologies
    Pershkrim i detajuar:
    MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3.
    Koha standarde e plumbit të prodhuesit:
    Në magazinë
    Jetëgjatësia:
    Nje vit
    Ipipi Nga:
    Hong Kong
    RoHS:
    Metoda e pagesës:
    Mënyra e dërgesës:
    Kategoritë familjare:
    Komponentët kyç Co, LTD është një distributori i Komponentëve Elektronikë i cili ofron kategori të produkteve duke përfshirë: Transistorët - Bipolarë (BJT) - Beqarë, Transistorët - Qëllimi Special, Tiristet - TRIAC, Modulet e drejtuesit të energjisë, Diodat - Zener - Beqare, Transistorët - IGBT - Beqare, Tranzistorët - JFET and Diodat - Kapaciteti i Ndryshueshëm (Varicaps, Vara ...
    Avantazhi Konkurrues:
    We specialize in Infineon Technologies IPB16CN10N G electronic components. IPB16CN10N G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB16CN10N G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPB16CN10N G Atributet e produkteve

    Numri i pjesës : IPB16CN10N G
    prodhues : Infineon Technologies
    Përshkrim : MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3
    seri : OptiMOS™
    Statusi i pjesës : Obsolete
    Lloji FET : N-Channel
    teknologji : MOSFET (Metal Oxide)
    Kullojeni në tensionin e burimit (Vdss) : 100V
    Aktual - Kullimi i Vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C : 53A (Tc)
    Tensioni i makinës (Max Rds është i ndezur, Rds min روشن) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.5 mOhm @ 53A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 61µA
    Ngarkesa e portës (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Kapaciteti i hyrjes (Ciss) (Max) @ Vds : 3220pF @ 50V
    Tipar FET : -
    Shpërndarja e energjisë (Max) : 100W (Tc)
    Temperatura e funksionimit : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Lloji i montimit : Surface Mount
    Paketa e pajisjes së furnizuesit : D²PAK (TO-263AB)
    Paketa / Rasti : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    Ju gjithashtu mund të jeni të interesuar në
    • ZVN4306AV

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

    • ZVN4210A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

    • 2SK3462(TE16L1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD.

    • 2SK3342(TE16L1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD.

    • 2SK2883(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM.

    • 2SK2845(TE16L1,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 900V 1A DP.