BAS516,L3F Prmimi (USD) [3388457copë aksionesh]
- 1 pcs$0.01092
- Numri i pjesës:
- BAS516,L3F
- prodhues:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Pershkrim i detajuar:
- DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 100V .35pF .25A
- Koha standarde e plumbit të prodhuesit:
- Në magazinë
- Jetëgjatësia:
- Nje vit
- Ipipi Nga:
- Hong Kong
- RoHS:
- Metoda e pagesës:
-
- Mënyra e dërgesës:
- Kategoritë familjare:
- Komponentët kyç Co, LTD është një distributori i Komponentëve Elektronikë i cili ofron kategori të produkteve duke përfshirë: Modulet e drejtuesit të energjisë, Diodat - Zener - Vargje, Transistorët - FET, MOSFET - RF, Transistorët - Bipolarë (BJT) - RF, Diodat - Rregullatorët - Beqare, Transistorët - bipolar (BJT) - Beqarë, Paragjykues, Tyristorët - DIAC, SIDAC and Transistorët - Bipolarë (BJT) - Beqarë ...
- Avantazhi Konkurrues:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage BAS516,L3F electronic components. BAS516,L3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS516,L3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS516,L3F Atributet e produkteve
Numri i pjesës :
BAS516,L3F
prodhues :
Toshiba Semiconductor and Storage
Përshkrim :
DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
seri :
-
Statusi i pjesës :
Active
Lloji i diodës :
Standard
Tensioni - Reverse DC (Vr) (Max) :
100V
Aktual - Rregulluar Mesatar (Io) :
250mA
Tensioni - përpara (Vf) (Maksimum) @ Nëse :
1.25V @ 150mA
shpejtësi :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Koha e rikuperimit të kundërt (trr) :
3ns
Rrjedhje e kundërt - Vr :
200nA @ 80V
Kapaciteti @ Vr, F :
0.35pF @ 0V, 1MHz
Lloji i montimit :
Surface Mount
Paketa / Rasti :
SC-79, SOD-523
Paketa e pajisjes së furnizuesit :
ESC
Temperatura e funksionimit - kryqëzim :
150°C (Max)
Lajmet e fundit
Ju gjithashtu mund të jeni të interesuar në
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Pjesë të nxehta
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18
选择你的位置