1N4003GR0 Prmimi (USD) [2627005copë aksionesh]
- 1 pcs$0.01408
- Numri i pjesës:
- 1N4003GR0
- prodhues:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Pershkrim i detajuar:
- 1A200VSTD.GLASS PASSIVATED REC.
- Koha standarde e plumbit të prodhuesit:
- Në magazinë
- Jetëgjatësia:
- Nje vit
- Ipipi Nga:
- Hong Kong
- RoHS:
- Metoda e pagesës:
-
- Mënyra e dërgesës:
- Kategoritë familjare:
- Komponentët kyç Co, LTD është një distributori i Komponentëve Elektronikë i cili ofron kategori të produkteve duke përfshirë: Tranzistorët - Njëjësim i programueshëm, Diodat - Zener - Beqare, Transistorët - IGBTs - Arrays, Tranzistorët - bipolar (BJT) - vargje, të paragjyk, Transistorët - IGBT - Beqare, Diodat - Rregullatorët - Vargjet, Tiristet - SHKR and Diodat - Rregullatorët e Urës ...
- Avantazhi Konkurrues:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation 1N4003GR0 electronic components. 1N4003GR0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4003GR0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4003GR0 Atributet e produkteve
Numri i pjesës :
1N4003GR0
prodhues :
Taiwan Semiconductor Corporation
Përshkrim :
1A200VSTD.GLASS PASSIVATED REC
seri :
-
Statusi i pjesës :
Active
Lloji i diodës :
Standard
Tensioni - Reverse DC (Vr) (Max) :
200V
Aktual - Rregulluar Mesatar (Io) :
1A
Tensioni - përpara (Vf) (Maksimum) @ Nëse :
1V @ 1A
shpejtësi :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Koha e rikuperimit të kundërt (trr) :
-
Rrjedhje e kundërt - Vr :
5µA @ 200V
Kapaciteti @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Lloji i montimit :
Through Hole
Paketa / Rasti :
DO-204AL, DO-41, Axial
Paketa e pajisjes së furnizuesit :
DO-204AL (DO-41)
Temperatura e funksionimit - kryqëzim :
-55°C ~ 150°C
Lajmet e fundit
Ju gjithashtu mund të jeni të interesuar në
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Pjesë të nxehta
- BAS16J/ZLF
- R7004203XXUA
- 1N4148 BK
- MBRH30040L
- VS-8ETX06STRLPBF
- 1N3292B
- V20100SHM3/4W
- RGP10D-M3/54
- RGP02-20E-M3/54
- RGP10AHM3/73
- SSB44HE3/52T
- RK 39
- CD214B-B230LF
- CD214B-B120LF
- CD214A-B220LF
- CDBMH2100-HF
- 1N3900R
- NSR05F30NRT5G
- UG5JT-E3/45
- FES16ATHE3/45
- DTV32F-E3/45
- 1N5401-AP
- SS3P6LHM3/86A
- SS2H9HE3/5BT
- S4PGHM3/87A
- 1N4002_NL
- UG2003-T
- SIDC32D170HX1SA3
- SIDC09D60E6YX1SA1
- JANTX1N6623
- STTA106U
- 1N5404RL
- MA2778400L
- IRKE166/14
- IRD3910R
- FR505-TP
- SE20DBHM3/I
- ES3B-M3/57T
- MUR315S M6G
- ES2A-M3/52T
选择你的位置