Infineon Technologies - IPB036N12N3GATMA1

KEY Part #: K6417072

IPB036N12N3GATMA1 Prmimi (USD) [24475copë aksionesh]

  • 1 pcs$1.68394

Numri i pjesës:
IPB036N12N3GATMA1
prodhues:
Infineon Technologies
Pershkrim i detajuar:
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7.
Koha standarde e plumbit të prodhuesit:
Në magazinë
Jetëgjatësia:
Nje vit
Ipipi Nga:
Hong Kong
RoHS:
Metoda e pagesës:
Mënyra e dërgesës:
Kategoritë familjare:
Komponentët kyç Co, LTD është një distributori i Komponentëve Elektronikë i cili ofron kategori të produkteve duke përfshirë: Diodat - Zener - Vargje, Diodat - Zener - Beqare, Transistorët - bipolar (BJT) - Beqarë, Paragjykues, Tranzistorët - Njëjësim i programueshëm, Tranzistorët - bipolar (BJT) - vargje, të paragjyk, Tranzistorët - JFET, Tiristet - SHKR and Diodat - Rregullatorët - Beqare ...
Avantazhi Konkurrues:
We specialize in Infineon Technologies IPB036N12N3GATMA1 electronic components. IPB036N12N3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB036N12N3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB036N12N3GATMA1 Atributet e produkteve

Numri i pjesës : IPB036N12N3GATMA1
prodhues : Infineon Technologies
Përshkrim : MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
seri : OptiMOS™
Statusi i pjesës : Active
Lloji FET : N-Channel
teknologji : MOSFET (Metal Oxide)
Kullojeni në tensionin e burimit (Vdss) : 120V
Aktual - Kullimi i Vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C : 180A (Tc)
Tensioni i makinës (Max Rds është i ndezur, Rds min روشن) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 270µA
Ngarkesa e portës (Qg) (Max) @ Vgs : 211nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Kapaciteti i hyrjes (Ciss) (Max) @ Vds : 13800pF @ 60V
Tipar FET : -
Shpërndarja e energjisë (Max) : 300W (Tc)
Temperatura e funksionimit : -55°C ~ 175°C (TJ)
Lloji i montimit : Surface Mount
Paketa e pajisjes së furnizuesit : PG-TO263-7
Paketa / Rasti : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Ju gjithashtu mund të jeni të interesuar në
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.