Vishay Siliconix - SI4896DY-T1-GE3

KEY Part #: K6419473

SI4896DY-T1-GE3 Prmimi (USD) [113709copë aksionesh]

  • 1 pcs$0.32528
  • 2,500 pcs$0.28444

Numri i pjesës:
SI4896DY-T1-GE3
prodhues:
Vishay Siliconix
Pershkrim i detajuar:
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC.
Koha standarde e plumbit të prodhuesit:
Në magazinë
Jetëgjatësia:
Nje vit
Ipipi Nga:
Hong Kong
RoHS:
Metoda e pagesës:
Mënyra e dërgesës:
Kategoritë familjare:
Komponentët kyç Co, LTD është një distributori i Komponentëve Elektronikë i cili ofron kategori të produkteve duke përfshirë: Tiristet - SHKR, Tranzistorët - JFET, Diodat - Rregullatorët e Urës, Modulet e drejtuesit të energjisë, Tyristorët - DIAC, SIDAC, Transistorët - IGBTs - Arrays, Tranzistorët - FET, MOSFET - Arrays and Transistorët - Qëllimi Special ...
Avantazhi Konkurrues:
We specialize in Vishay Siliconix SI4896DY-T1-GE3 electronic components. SI4896DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4896DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4896DY-T1-GE3 Atributet e produkteve

Numri i pjesës : SI4896DY-T1-GE3
prodhues : Vishay Siliconix
Përshkrim : MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC
seri : TrenchFET®
Statusi i pjesës : Active
Lloji FET : N-Channel
teknologji : MOSFET (Metal Oxide)
Kullojeni në tensionin e burimit (Vdss) : 80V
Aktual - Kullimi i Vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C : 6.7A (Ta)
Tensioni i makinës (Max Rds është i ndezur, Rds min روشن) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA (Min)
Ngarkesa e portës (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Kapaciteti i hyrjes (Ciss) (Max) @ Vds : -
Tipar FET : -
Shpërndarja e energjisë (Max) : 1.56W (Ta)
Temperatura e funksionimit : -55°C ~ 150°C (TJ)
Lloji i montimit : Surface Mount
Paketa e pajisjes së furnizuesit : 8-SO
Paketa / Rasti : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Ju gjithashtu mund të jeni të interesuar në