Vishay Siliconix - SI4511DY-T1-E3

KEY Part #: K6522998

[4690copë aksionesh]


    Numri i pjesës:
    SI4511DY-T1-E3
    prodhues:
    Vishay Siliconix
    Pershkrim i detajuar:
    MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC.
    Koha standarde e plumbit të prodhuesit:
    Në magazinë
    Jetëgjatësia:
    Nje vit
    Ipipi Nga:
    Hong Kong
    RoHS:
    Metoda e pagesës:
    Mënyra e dërgesës:
    Kategoritë familjare:
    Komponentët kyç Co, LTD është një distributori i Komponentëve Elektronikë i cili ofron kategori të produkteve duke përfshirë: Transistorët - IGBT - Modulet, Diodat - Zener - Vargje, Tranzistorët - JFET, Transistorët - IGBTs - Arrays, Transistorët - Bipolarë (BJT) - Beqarë, Diodat - Kapaciteti i Ndryshueshëm (Varicaps, Vara, Diodat - Zener - Beqare and Modulet e drejtuesit të energjisë ...
    Avantazhi Konkurrues:
    We specialize in Vishay Siliconix SI4511DY-T1-E3 electronic components. SI4511DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4511DY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4511DY-T1-E3 Atributet e produkteve

    Numri i pjesës : SI4511DY-T1-E3
    prodhues : Vishay Siliconix
    Përshkrim : MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
    seri : TrenchFET®
    Statusi i pjesës : Obsolete
    Lloji FET : N and P-Channel
    Tipar FET : Logic Level Gate
    Kullojeni në tensionin e burimit (Vdss) : 20V
    Aktual - Kullimi i Vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C : 7.2A, 4.6A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 9.6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 250µA
    Ngarkesa e portës (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 4.5V
    Kapaciteti i hyrjes (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Fuqia - Maks : 1.1W
    Temperatura e funksionimit : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Lloji i montimit : Surface Mount
    Paketa / Rasti : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Paketa e pajisjes së furnizuesit : 8-SO

    Ju gjithashtu mund të jeni të interesuar në
    • IRF5810TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

    • FDY2000PZ

      ON Semiconductor

      MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

    • DMN2040LTS-13

      Diodes Incorporated

      MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP.

    • DMN2019UTS-13

      Diodes Incorporated

      MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

    • DMG8822UTS-13

      Diodes Incorporated

      MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.

    • AO8801AL

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP.