Vishay Siliconix - SI7686DP-T1-E3

KEY Part #: K6420443

SI7686DP-T1-E3 Prmimi (USD) [195156copë aksionesh]

  • 1 pcs$0.18953
  • 3,000 pcs$0.16019

Numri i pjesës:
SI7686DP-T1-E3
prodhues:
Vishay Siliconix
Pershkrim i detajuar:
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8.
Koha standarde e plumbit të prodhuesit:
Në magazinë
Jetëgjatësia:
Nje vit
Ipipi Nga:
Hong Kong
RoHS:
Metoda e pagesës:
Mënyra e dërgesës:
Kategoritë familjare:
Komponentët kyç Co, LTD është një distributori i Komponentëve Elektronikë i cili ofron kategori të produkteve duke përfshirë: Transistorët - IGBTs - Arrays, Transistorët - FET, MOSFET - Të vetme, Tranzistorët - JFET, Transistorët - Qëllimi Special, Transistorë - Bipolarë (BJT) - Vargje, Diodat - Zener - Vargje, Diodat - Rregullatorët - Beqare and Diodat - Kapaciteti i Ndryshueshëm (Varicaps, Vara ...
Avantazhi Konkurrues:
We specialize in Vishay Siliconix SI7686DP-T1-E3 electronic components. SI7686DP-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7686DP-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7686DP-T1-E3 Atributet e produkteve

Numri i pjesës : SI7686DP-T1-E3
prodhues : Vishay Siliconix
Përshkrim : MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
seri : TrenchFET®
Statusi i pjesës : Active
Lloji FET : N-Channel
teknologji : MOSFET (Metal Oxide)
Kullojeni në tensionin e burimit (Vdss) : 30V
Aktual - Kullimi i Vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
Tensioni i makinës (Max Rds është i ndezur, Rds min روشن) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Ngarkesa e portës (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Kapaciteti i hyrjes (Ciss) (Max) @ Vds : 1220pF @ 15V
Tipar FET : -
Shpërndarja e energjisë (Max) : 5W (Ta), 37.9W (Tc)
Temperatura e funksionimit : -55°C ~ 150°C (TJ)
Lloji i montimit : Surface Mount
Paketa e pajisjes së furnizuesit : PowerPAK® SO-8
Paketa / Rasti : PowerPAK® SO-8

Ju gjithashtu mund të jeni të interesuar në