Micron Technology Inc. - MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR

KEY Part #: K938191

MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR Prmimi (USD) [19516copë aksionesh]

  • 1 pcs$2.34790

Numri i pjesës:
MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR
prodhues:
Micron Technology Inc.
Pershkrim i detajuar:
IC FLASH 2G PARALLEL FBGA. NAND Flash SLC 2G 128MX16 FBGA
Koha standarde e plumbit të prodhuesit:
Në magazinë
Jetëgjatësia:
Nje vit
Ipipi Nga:
Hong Kong
RoHS:
Metoda e pagesës:
Mënyra e dërgesës:
Kategoritë familjare:
Komponentët kyç Co, LTD është një distributori i Komponentëve Elektronikë i cili ofron kategori të produkteve duke përfshirë: PMIC - Rregullorja / Menaxhimi aktual, Ndërfaqja - CODEC, Ndërfaqja - Shoferë, marrës, marrës, Logjikë - Rrokullisje, Linear - Amplifikuesit linearë - Audio, Ndërfaqja - module, Amplifikatorë linearë - përforcues video dhe modul and Ndërfaqja - Regjistrim zanor dhe rishikim ...
Avantazhi Konkurrues:
We specialize in Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR electronic components. MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR Atributet e produkteve

Numri i pjesës : MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR
prodhues : Micron Technology Inc.
Përshkrim : IC FLASH 2G PARALLEL FBGA
seri : Automotive, AEC-Q100
Statusi i pjesës : Active
Lloji i kujtesës : Non-Volatile
Formati i kujtesës : FLASH
teknologji : FLASH - NAND
Madhësia e kujtesës : 2Gb (128M x 16)
Frekuenca e sahatit : -
Shkruaj Kohën e Ciklit - Fjalë, Faqe : -
Koha e hyrjes : -
Ndërfaqja e kujtesës : Parallel
Tensioni - furnizimi : 1.7V ~ 1.95V
Temperatura e funksionimit : -40°C ~ 105°C (TA)
Lloji i montimit : -
Paketa / Rasti : -
Paketa e pajisjes së furnizuesit : -

Ju gjithashtu mund të jeni të interesuar në
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • W979H2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)