ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46R16160D-6TLA1-TR

KEY Part #: K938176

IS46R16160D-6TLA1-TR Prmimi (USD) [19456copë aksionesh]

  • 1 pcs$2.81769
  • 1,500 pcs$2.80368

Numri i pjesës:
IS46R16160D-6TLA1-TR
prodhues:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Pershkrim i detajuar:
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II. DRAM Automotive 256M,2.5V DDR1,64Mx8,166MHz
Koha standarde e plumbit të prodhuesit:
Në magazinë
Jetëgjatësia:
Nje vit
Ipipi Nga:
Hong Kong
RoHS:
Metoda e pagesës:
Mënyra e dërgesës:
Kategoritë familjare:
Komponentët kyç Co, LTD është një distributori i Komponentëve Elektronikë i cili ofron kategori të produkteve duke përfshirë: Të integruara - Mikrokontrollues, Mikroprocesor, m, Ndërfaqja - UART (Transmetuesi Universal i Asynchr, Të integruara - Mikrokontrolluesit, Shumëzues linear - analog, ndarës, Amplifikatorë linearë - përforcues video dhe modul, PMIC - OSE kontrolluesit, diodat ideale, Ora / Koha - Koha dhe Oscillators të Programueshëm and Kujtesa - Bateritë ...
Avantazhi Konkurrues:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160D-6TLA1-TR electronic components. IS46R16160D-6TLA1-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS46R16160D-6TLA1-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46R16160D-6TLA1-TR Atributet e produkteve

Numri i pjesës : IS46R16160D-6TLA1-TR
prodhues : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Përshkrim : IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
seri : -
Statusi i pjesës : Active
Lloji i kujtesës : Volatile
Formati i kujtesës : DRAM
teknologji : SDRAM - DDR
Madhësia e kujtesës : 256Mb (16M x 16)
Frekuenca e sahatit : 166MHz
Shkruaj Kohën e Ciklit - Fjalë, Faqe : 15ns
Koha e hyrjes : 700ps
Ndërfaqja e kujtesës : Parallel
Tensioni - furnizimi : 2.3V ~ 2.7V
Temperatura e funksionimit : -40°C ~ 85°C (TA)
Lloji i montimit : Surface Mount
Paketa / Rasti : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Paketa e pajisjes së furnizuesit : 66-TSOP II

Lajmet e fundit

Ju gjithashtu mund të jeni të interesuar në
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)