Përshkrim :
GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE
Statusi i pjesës :
Active
teknologji :
GaNFET (Gallium Nitride)
Kullojeni në tensionin e burimit (Vdss) :
200V
Aktual - Kullimi i Vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C :
8.5A (Ta)
Tensioni i makinës (Max Rds është i ndezur, Rds min روشن) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 7A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1.5mA
Ngarkesa e portës (Qg) (Max) @ Vgs :
2.5nC @ 5V
Kapaciteti i hyrjes (Ciss) (Max) @ Vds :
270pF @ 100V
Shpërndarja e energjisë (Max) :
-
Temperatura e funksionimit :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Lloji i montimit :
Surface Mount
Paketa e pajisjes së furnizuesit :
Die