Samsung Semiconductor - K4ABG165WA-MCWE

KEY Part #: K7359579

[22057copë aksionesh]


    Numri i pjesës:
    K4ABG165WA-MCWE
    prodhues:
    Samsung Semiconductor
    Pershkrim i detajuar:
    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.
    Koha standarde e plumbit të prodhuesit:
    Në magazinë
    Jetëgjatësia:
    Nje vit
    Ipipi Nga:
    Hong Kong
    RoHS:
    Metoda e pagesës:
    Mënyra e dërgesës:
    Kategoritë familjare:
    Komponentët kyç Co, LTD është një distributori i Komponentëve Elektronikë i cili ofron kategori të produkteve duke përfshirë: LPDDR4X, SLC Nand, MODULE, LPDDR4, GDDR5, DDR4, LPDDR3 and HBM Aquabolt ...
    Avantazhi Konkurrues:
    Ne jemi te specializuar në përbërësit elektronikë Samsung Semiconductor K4ABG165WA-MCWE. K4ABG165WA-MCWE mund të dërgohet brenda 24 orësh pas porosisë. Nëse keni ndonjë kërkesë për K4ABG165WA-MCWE, ju lutemi paraqisni një Kërkesë për Kuotim këtu ose na dërgoni një email: info@key-component.com

    K4ABG165WA-MCWE Atributet e produkteve

    Numri i pjesës : K4ABG165WA-MCWE
    prodhues : Samsung Semiconductor
    Përshkrim : 32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample
    seri : DDR4
    densitet : 32 Gb
    Org. : 2G x 16
    shpejtësi : 3200 Mbps
    tension : 1.2 V
    Temp. : 0 ~ 85 °C
    paketë : 96FBGA
    produkt Status : Sample

    Ju gjithashtu mund të jeni të interesuar në
    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BCTD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

    • K4A4G165WE-BCWE

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.